Kommentiertes Vorlesungsverzeichnis

CMOS-Nanoelektronik

Dozent:

Prof. Wolfgang Krautschneider

Umfang:

2 Stunden Vorlesung, 1 Stunde Übung

Zeitraum:

Wintersemester

Sprache:

Deutsch

Empfohlene Vorkenntnisse:

Kenntnisse der Funktionsweise von MOS-Bauelementen und Grundlagen der Halbleiterphysik

Vorlesung "Halbleiterschaltungstechnik"

Inhalt:

• Aufbau und Funktionsweise von Nanometer CMOS-Bauelementen
• Höchstintegrierte Speicher im Multi-Gigabit-Bereich
• Schaltungstechnik höchstintegrierter Schaltungen
• CMOS-Technologie für Nanometer-Bauelemente
• Parasitäre Effekte bei sehr kleinen Strukturen
• Zuverlässigkeitsverhalten bei sehr Bauelementen im Nanometerbereich
• Wirtschaftliche Gesichtspunkte bei Nanometer-CMOS

Qualifikationsziele:

 

·        Kenntnisse: Funktionsweise von MOS-Transistoren mit sehr kleinen Strukturabmessungen. Wichtige Messverfahren zur Bestimmung zuverlässigkeitsrelevanter Bauelementeparameter

·        Methodenkompetenz: Analyse höchstintegrierter Logik- und Speicherschaltkreise

·        Systemkompetenz: Strukturierung komplexer Schaltungsblöcke

·        Lösungskompetenz: Überwinden technischer und physikalischer Barrieren bei der Strukturverkleinerung

Literatur:

Vorlesungsskript

Y. Taur und T.H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices, Cambridge University Press, 8th reprint, 2006

R.F. Pierret, Advanced Semiconductor Fundamentals, Prentice Hall, 2003

K. Rim, 32 nm CMOS Technology, IEDM Short Course, 2006

Studien/Prüfungsleistungen:

schriftliche Prüfung

Arbeitsaufwand:

120 Stunden insgesamt

Weitere Informationen:

www.et5.tu-harburg.de

Ansprechpartner:

nanoelektronik@tu-harburg.de

Die ECTS-Punkte dieses Moduls finden Sie im Studienplan des jeweiligen Studiengangs.